オン・セミコンダクター、急成長するアプリケーション向けに、成長するエコシステムを補完し、ワイドバンドギャップの性能の利点をもたらす、産業用と車載用として認証済みのSiC MOSFETの新製品を発表

3月19日(火)12時40分 PR TIMES

SiC MOSFETデバイスが、自動車、再生可能エネルギー、データセンタの電力システム向けの高効率、小型フォームファクタ、堅牢、かつコスト効率の高い高周波設計をサポート

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高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター(本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON)の日本法人オン・セミコンダクター株式会社(本社 東京都品川区)は、新しい炭化ケイ素(silicon carbide、SiC)MOSFETデバイス2製品を発表しました。インダストリアルグレードのNTHL080N120SC1とAEC-Q101オートモーティブグレードのNVHL080N120SC1は、ワイドバンドギャップ技術で実現可能な広範な性能上のメリットを、電気自動車用の車載DCDCやオンボードチャージャのアプリケーション、ならびに太陽光発電、無停電電源、サーバ電源のような重要かつ高成長しているエンドアプリケーション分野にもたらします。

今回の発表では、オン・セミコンダクターの包括的で成長中のSiCエコシステムの強化を目指しており、SiCダイオードやSiCドライバなどの補完的なデバイスに加え、デバイスシミュレーションツール、SPICEモデル、アプリケーション情報などの極めて重要なリソースを提供することで、設計エンジニアやシステムエンジニアの高周波回路開発上の課題に対応します。

オン・セミコンダクターの1200ボルト(V)、80ミリオーム(mΩ)、SiC MOSFETは、堅牢で現在の高周波設計のニーズに合致しています。これらは、高い電力密度と高効率の動作を併せ持っており、デバイスのフットプリントが小さいため運用コストとシステム全体のサイズを著しく低減できます。また、これらの特性により、熱管理の必要性がより少なくなり、部品表(BoM)コスト、サイズ、重量をさらに削減します。

この新デバイスの主な特徴と関連する設計上のメリットは、クラスをリードする低リーク電流、低逆回復電荷を有する高速固有ダイオードによる急激な電力損失の低減と、より高い周波数での動作およびより高い電力密度、低い順方向電圧と組み合わされた低いEonおよびEoff /高速ターンオン、オフによる全電力損失の低減とそれに伴なう冷却要件の低減が挙げられます。デバイスキャパシタンスが小さいため、非常に高い周波数でスイッチする能力をサポートし、それによってEMIの問題を軽減する一方で、サージ、アバランシェ能力、短絡に対する堅牢性が、全体的な耐久性を高め、信頼性を向上させ、全体的な平均寿命を長くします。

また、オン・セミコンダクターのSiC MOSFETデバイス新製品のユニークな利点は、信頼性および耐久性を高め、動作の安定性を強化する特許取得済みのターミネーション構造です。NVHL080N120SC1は、高サージ電流に耐えるように設計されており、短絡に対して高いアバランシェ能力と堅牢性を提供します。AEC-Q101認証済みのMOSFET及び提供されている他のSiCデバイスは、電子コンテンツの増加とパワートレインの電動化によって急増する車載アプリケーションで、それらを十分に活用できます。175℃の最大動作温度は、車載設計や、高密度およびスペース制約により定常的な周囲温度が押し上げられる他のターゲットアプリケーションでの使用に適しています。

オン・セミコンダクターの、パワーソリューションズ・グループのパワーMOSFETデバイスグループのバイスプレジデント兼ジェネラルマネージャである ゲイリー・ストレイカー(Gary Straker)は、このSiC MOSFETデバイスの新製品発表とオン・セミコンダクターのワイドバンドギャップに関するエコシステムの全体的な強化について、次のように述べています。「最も重要なアプリケーションや現在の主要トレンドは、通常のシリコンデバイスの性能を超える総合的な性能をますます要求しています。オン・セミコンダクターの包括的なSiCポートフォリオは、今回の2品種の新しいMOSFETの発表により強化され、ツールやリソースのエコシステムによって支えられています。当社は、バンドギャップのコンポーネントの完全なソリューションを提供できるだけでなく、開発と設計の過程でエンジニアを導くことができ、期待通りに機能し、費用対効果が高く、信頼性と長寿命を併せ持つソリューションを実現します」

オン・セミコンダクターのSiCデバイスとソリューションは、米国カリフォルニア州アナハイムで開催されるAPEC 2019で展示されます。また、2019年中にさらに広いバンドギャップデバイスを発表する計画です。

オン・セミコンダクターについて
オン・セミコンダクター(Nasdaq: ON)は、お客様にグローバルな省エネルギーを実現していただけるよう、高効率エネルギーへのイノベーションをリードしてまいります。オン・セミコンダクターは半導体をベースにしたソリューションのリーディング・サプライヤーで、エネルギー効率の高い、電力管理、アナログ、センサ、ロジック、タイミング、コネクティビティ、ディスクリート、SoCおよびカスタム・デバイスの包括的なポートフォリオを提供しています。オン・セミコンダクターの製品は、自動車、通信、コンピューティング、民生機器、産業用機器、医療機器、航空宇宙、防衛のアプリケーションにおける特有な設計上の課題を解決します。オン・セミコンダクターは、北米、ヨーロッパ、およびアジア太平洋地域の主要市場で、製造工場、営業所、デザイン・センターのネットワークを運営しています。迅速な対応、信頼性、世界クラスのサプライチェーンと品質保証プログラム、厳格な企業倫理とコンプライアンスを備え、お客様のご要望にお応えしていきます。詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。

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オン・セミコンダクターおよびオン・セミコンダクターのロゴは、Semiconductor Components Industries, LLCの登録商標です。本ドキュメントに記載されている、それ以外のブランド名および製品名はすべて、各所有者の登録商標または商標です。オン・セミコンダクターは、本ニュースリリースで同社Webサイトを参照していますが、Webサイト上の情報はここには記載されていません。

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