二次元層状物質として多彩な物性や機能が注目される遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)についてまとめた書籍が発売！！
2023年12月25日（月）15時16分 PR TIMES
書籍『遷移金属ダイカルコゲナイドの基礎と最新動向』（監修：東京都立大学／宮田耕充、九州大学／吾郷浩樹、京都大学／松田一成、東京大学／長汐晃輔）が12月27日に発売。
バイオテクノロジー・化学などの技術・市場動向レポート発行やセミナー開催を行う、株式会社シーエムシー出版（本社：東京都千代田区、代表：辻賢司）は、書籍『遷移金属ダイカルコゲナイドの基礎と最新動向』（監修：東京都立大学／宮田耕充、九州大学／吾郷浩樹、京都大学／松田一成、東京大学／長汐晃輔）を2023年12月27日に発刊いたします。
定価は税込67,100円（本体価格61,000円＋税）で、当社ECサイトおよび全国の書店でご注文を受け付けております。
目次などの詳細については以下の当社サイトをご覧ください。
https://www.cmcbooks.co.jp/products/detail.php?product_id=9361
[画像: https://prtimes.jp/i/117216/101/resize/d117216-101-3cd9ff738d5525840881-0.jpg ]
監修：宮田耕充（東京都立大学）、吾郷浩樹（九州大学）、松田一成（京都大学）、長汐晃輔（東京大学）
発行日：2023年12月27日
体裁：B5判、326ページ
ISBNコード：978-4-7813-1758-8
価格(税込)：67,100円
著者
宮田耕充 東京都立大学
吾郷浩樹 九州大学
松田一成 京都大学
長汐晃輔 東京大学
斉木幸一朗 東京大学名誉教授
小鍋 哲 法政大学
末永和知 大阪大学
丸山実那 筑波大学
高 燕林 筑波大学
岡田 晋 筑波大学
坂野昌人 東京大学
齋藤理一郎 東北大学名誉教授;台湾師範大学特別教授
宮内雄平 京都大学
柳 和宏 東京都立大学
岩佐義宏 東京大学;理化学研究所
ほか 計41名
目次
【第1編:構造と物性】
第1章 構造と電子状態
第2章 電子顕微鏡観察
第3章 第一原理計算と電子構造
第4章 角度分解光電子分光による電子構造観測
第5章 二次元半導体ヘテロ構造におけるモアレの物理と光科学
第6章 ラマン分光
第7章 励起子輸送
第8章 格子不整合に積層した遷移金属ダイカルコゲナイドの熱伝導
第9章 電界誘起超伝導
第10章 遷移金属ダイカルコゲナイドの対称性と量子力学的整流現象
第11章 半導体モアレ格子における強相関電子
第12章 トポロジカル電子状態
【第2編:合成・構造制御】
第13章 遷移金属ダイカルコゲナイドのバルク単結晶成長
第14章 剥離と転写
第15章 化学気相成長法
第16章 化学気相成長:ドーピング
第17章 化学気相成長:ヘテロ構造
第18章 原子打ち込みによる二次元半導体のドーピング
第19章 化学ドーピング等による遷移金属ダイカルコゲナイドの物性制御とデバイス応用
第20章 遷移金属ダイカルコゲナイドナノチューブの構造制御および組成制御
【第3編:応用】
第21章 電界効果型トランジスタ
第22章 トンネル電界効果型トランジスタ
第23章 層間トンネル電流の解析
第24章 強誘電体の設計
第25章 遷移金属ダイカルコゲナイドのスピントロニクス機能
第26章 電気二重層トランジスタと熱電デバイス
第27章 発光デバイス
第28章 数層遷移金属ダイカルコゲナイドの高透明太陽電池応用
第29章 バルク光起電力効果
第30章 二次元材料表面を運動する液滴による発電現象
第31章 遷移金属ダイカルコゲナイドの触媒としての活用
第32章 化学処理と発光増強
第33章 自己組織化膜形成
★詳細カタログはコチラ★
https://www.cmcbooks.co.jp/upload/save_image/12142041_657ae9f8e54ea.pdf
バイオテクノロジー・化学などの技術・市場動向レポート発行やセミナー開催を行う、株式会社シーエムシー出版（本社：東京都千代田区、代表：辻賢司）は、書籍『遷移金属ダイカルコゲナイドの基礎と最新動向』（監修：東京都立大学／宮田耕充、九州大学／吾郷浩樹、京都大学／松田一成、東京大学／長汐晃輔）を2023年12月27日に発刊いたします。
定価は税込67,100円（本体価格61,000円＋税）で、当社ECサイトおよび全国の書店でご注文を受け付けております。
目次などの詳細については以下の当社サイトをご覧ください。
https://www.cmcbooks.co.jp/products/detail.php?product_id=9361
[画像: https://prtimes.jp/i/117216/101/resize/d117216-101-3cd9ff738d5525840881-0.jpg ]
監修：宮田耕充（東京都立大学）、吾郷浩樹（九州大学）、松田一成（京都大学）、長汐晃輔（東京大学）
発行日：2023年12月27日
体裁：B5判、326ページ
ISBNコード：978-4-7813-1758-8
価格(税込)：67,100円
著者
宮田耕充 東京都立大学
吾郷浩樹 九州大学
松田一成 京都大学
長汐晃輔 東京大学
斉木幸一朗 東京大学名誉教授
小鍋 哲 法政大学
末永和知 大阪大学
丸山実那 筑波大学
高 燕林 筑波大学
岡田 晋 筑波大学
坂野昌人 東京大学
齋藤理一郎 東北大学名誉教授;台湾師範大学特別教授
宮内雄平 京都大学
柳 和宏 東京都立大学
岩佐義宏 東京大学;理化学研究所
ほか 計41名
目次
【第1編:構造と物性】
第1章 構造と電子状態
第2章 電子顕微鏡観察
第3章 第一原理計算と電子構造
第4章 角度分解光電子分光による電子構造観測
第5章 二次元半導体ヘテロ構造におけるモアレの物理と光科学
第6章 ラマン分光
第7章 励起子輸送
第8章 格子不整合に積層した遷移金属ダイカルコゲナイドの熱伝導
第9章 電界誘起超伝導
第10章 遷移金属ダイカルコゲナイドの対称性と量子力学的整流現象
第11章 半導体モアレ格子における強相関電子
第12章 トポロジカル電子状態
【第2編:合成・構造制御】
第13章 遷移金属ダイカルコゲナイドのバルク単結晶成長
第14章 剥離と転写
第15章 化学気相成長法
第16章 化学気相成長:ドーピング
第17章 化学気相成長:ヘテロ構造
第18章 原子打ち込みによる二次元半導体のドーピング
第19章 化学ドーピング等による遷移金属ダイカルコゲナイドの物性制御とデバイス応用
第20章 遷移金属ダイカルコゲナイドナノチューブの構造制御および組成制御
【第3編:応用】
第21章 電界効果型トランジスタ
第22章 トンネル電界効果型トランジスタ
第23章 層間トンネル電流の解析
第24章 強誘電体の設計
第25章 遷移金属ダイカルコゲナイドのスピントロニクス機能
第26章 電気二重層トランジスタと熱電デバイス
第27章 発光デバイス
第28章 数層遷移金属ダイカルコゲナイドの高透明太陽電池応用
第29章 バルク光起電力効果
第30章 二次元材料表面を運動する液滴による発電現象
第31章 遷移金属ダイカルコゲナイドの触媒としての活用
第32章 化学処理と発光増強
第33章 自己組織化膜形成
★詳細カタログはコチラ★
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