三菱電機が第8世代IGBT搭載産業用モジュールを展示 - ネプコン ジャパン
2025年1月23日（木）6時1分 マイナビニュース
1月22日から24日まで東京ビッグサイトで開催されている「第39回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」にて、三菱電機は、最新のパワー半導体デバイスの数々を展示。電気自動車(EV)や電力インフラをはじめとするさまざまな市場に、炭化ケイ素(SiC)をはじめとする新たな選択肢を提案している。
○SiC新製品を中心にGX貢献技術を展示
三菱電機はパワーデバイス事業を通じて、幅広い分野でのグリーントランスフォーメーション(GX)実現を目指している。同社は2024年9月、12インチのSi(シリコン)ウェハを用いたパワー半導体チップの提供開始を発表しており、ウェハ大口径化による生産効率化を推進。また一方で、次世代パワーデバイスの主力材料として期待されるSiCについても事業強化を進めており、2023年10月には米・コヒーレントから分社化したSiC事業会社へと出資を行った。また熊本県の拠点にSiC 8インチ製品の生産に対応した新棟を建設し、2025年9月の竣工に向けて準備を進めているとのこと。さらに、ディスクリート製品の販路拡大に向けて高いシェアを有する蘭・Nexperiaとパートナーシップを締結するなど、パワーデバイス事業の成長に向けて積極的な動きを見せている。
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