酸化シリコン終端構造によるノーマリ・オフ型ダイヤモンドMOSFETを開発
2023年12月13日（水）18時46分 PR TIMES
〜 半導体デバイス/プロセス技術に関する世界最大の国際学会IEDMで発表 〜
次世代ダイヤモンド半導体パワーデバイス・高周波デバイスの研究開発を行う、株式会社 Power Diamonds Systems（PDS）（本社：東京都新宿区、代表取締役CEO：藤嶌辰也）は、早稲田大学 川原田 洋 研究室との共同研究で、
酸化シリコン終端（C-Si-O終端）構造によるノーマリ・オフ型ダイヤモンドMOSFETを開発し、その成果を半導体デバイス/プロセス技術に関する世界最大の国際学会IEDM（IEEE International Electron Devices Meeting）で発表いたしました。
Power Diamond Systemsは、ダイヤモンド半導体の普及、実用化に向けて、ダイヤモンドMOSFETの開発を強化していきます。
[画像: https://prtimes.jp/i/118415/2/resize/d118415-2-69211d55a7af8a321066-4.png ]
水素終端構造を用いたダイヤモンドMOSFETの研究開発は世界中で行われていますが、2DHG（2次元ホールガス）の存在により、基本的にノーマリ・オン（ゲート電圧が0Vのときにトランジスタがオン状態）動作に
なります。パワーエレクトロニクス応用を想定した場合、フェールセーフ（正常な動作がしなくなったときに安全な状態で停止させるアプローチ）の観点から、一般的にノーマリ・オフ（ゲート電圧が0Vのときにトランジスタがオフ状態）動作が望まれます。
この課題に対し、Power Diamond Systemsは、パワーエレクトロニクス応用を見据え、酸化シリコン終端構造によるノーマリ・オフ化技術の開発を進めてきました。今回、早稲田大学 川原田 洋 研究室との共同研究で、チャネル移動度（ホール）150 cm2/V・s、閾値電圧3~5V程度の酸化シリコン終端構造によるノーマリ・オフ型ダイヤモンドMOSFETを開発し、その成果を半導体デバイス/プロセス技術に関する世界最大の国際学会IEDM（IEEE International Electron Devices Meeting）で発表いたしました。
横型の酸化シリコン終端構造ダイヤモンドMOSFETの最大ドレイン電流は300 mA/mm以上、縦型の酸化シリコン終端構造ダイヤモンドMOSFETの最大ドレイン電流は200mA/mm以上を達成し、いずれもノーマリ・オフ型ダイヤモンドMOSFETの最高値です（Power Diamond Systems調べ）。
さらに、チャネル移動度（ホール）は、次世代半導体として社会実装が進むSiCに匹敵する値が得られました。
Power Diamond Systemsは、ダイヤモンド半導体の普及、実用化に向けたダイヤモンドMOSFETの研究開発を
強化していきます。
早稲田大学 理工学術院 教授／株式会社Power Diamond Systems CSO＆Co-Founder 川原田 洋
今回、われわれはダイヤモンド表面を酸化シリコン (C-Si-O)で覆う新たなデバイス構造を開発しました。
C-O-Si 結合ではなく、C-Si-O 結合にしたことが鍵です。ダイヤモンドp チャネル型MOSFETのホール移動度が
現在パワー半導体として脚光を浴びているSiCのnチャネル型MOSFETの電子チャネル移動度よりも高くなります。さらに、パワー半導体として必須のノーマリ・オフ動作、その信号の閾値が5V以上で、これは意図しない通電（ショート）が防げる値です。ダイヤモンドではこれまでどこも達成されていなかった技術です。
表面をC-Si-O結合で覆うことで従来のC-H表面に比べて、高温や酸化に強い安定なデバイスとなったと考えて
います。C-Si-O表面は、SiやSiCの表面と同様で、製造工程でSiやSiCと同様の手法が使え、量産性にも適しています。今回の成果で、社会実装しやすいダイヤモンドパワー半導体が実現したと感じています。
■ 株式会社Power Diamond Systems について
Power Diamond Systems（PDS）は、早稲田大学 川原田 洋 教授（Chief Scientific Officer）の研究シーズを
基に設立した、ダイヤモンド半導体デバイスの研究開発を行うスタートアップです。ダイヤモンド半導体デバイスは、電気自動車や再エネなどの次世代パワーエレクトロ二クス分野において期待される次世代パワー半導体です。このダイヤモンド半導体デバイスにより超小型・高効率インバータモジュールを実現し、エネルギー社会における更なる省エネ化に貢献することを目指しています。
会社名：株式会社 Power Diamond Systems
所在地：東京都新宿区西早稲田1-22-3 早稲田大学アントレプレナーシップセンター
代表者：藤嶌 辰也
ホームページ：https://www.powerdiamondsys.com/
本件に関するお問い合わせ先
株式会社 Power Diamond Systems
TEL：03-6824-0134
Mail：info@powerdiamondsys.com
次世代ダイヤモンド半導体パワーデバイス・高周波デバイスの研究開発を行う、株式会社 Power Diamonds Systems（PDS）（本社：東京都新宿区、代表取締役CEO：藤嶌辰也）は、早稲田大学 川原田 洋 研究室との共同研究で、
酸化シリコン終端（C-Si-O終端）構造によるノーマリ・オフ型ダイヤモンドMOSFETを開発し、その成果を半導体デバイス/プロセス技術に関する世界最大の国際学会IEDM（IEEE International Electron Devices Meeting）で発表いたしました。
Power Diamond Systemsは、ダイヤモンド半導体の普及、実用化に向けて、ダイヤモンドMOSFETの開発を強化していきます。
[画像: https://prtimes.jp/i/118415/2/resize/d118415-2-69211d55a7af8a321066-4.png ]
水素終端構造を用いたダイヤモンドMOSFETの研究開発は世界中で行われていますが、2DHG（2次元ホールガス）の存在により、基本的にノーマリ・オン（ゲート電圧が0Vのときにトランジスタがオン状態）動作に
なります。パワーエレクトロニクス応用を想定した場合、フェールセーフ（正常な動作がしなくなったときに安全な状態で停止させるアプローチ）の観点から、一般的にノーマリ・オフ（ゲート電圧が0Vのときにトランジスタがオフ状態）動作が望まれます。
この課題に対し、Power Diamond Systemsは、パワーエレクトロニクス応用を見据え、酸化シリコン終端構造によるノーマリ・オフ化技術の開発を進めてきました。今回、早稲田大学 川原田 洋 研究室との共同研究で、チャネル移動度（ホール）150 cm2/V・s、閾値電圧3~5V程度の酸化シリコン終端構造によるノーマリ・オフ型ダイヤモンドMOSFETを開発し、その成果を半導体デバイス/プロセス技術に関する世界最大の国際学会IEDM（IEEE International Electron Devices Meeting）で発表いたしました。
横型の酸化シリコン終端構造ダイヤモンドMOSFETの最大ドレイン電流は300 mA/mm以上、縦型の酸化シリコン終端構造ダイヤモンドMOSFETの最大ドレイン電流は200mA/mm以上を達成し、いずれもノーマリ・オフ型ダイヤモンドMOSFETの最高値です（Power Diamond Systems調べ）。
さらに、チャネル移動度（ホール）は、次世代半導体として社会実装が進むSiCに匹敵する値が得られました。
Power Diamond Systemsは、ダイヤモンド半導体の普及、実用化に向けたダイヤモンドMOSFETの研究開発を
強化していきます。
早稲田大学 理工学術院 教授／株式会社Power Diamond Systems CSO＆Co-Founder 川原田 洋
今回、われわれはダイヤモンド表面を酸化シリコン (C-Si-O)で覆う新たなデバイス構造を開発しました。
C-O-Si 結合ではなく、C-Si-O 結合にしたことが鍵です。ダイヤモンドp チャネル型MOSFETのホール移動度が
現在パワー半導体として脚光を浴びているSiCのnチャネル型MOSFETの電子チャネル移動度よりも高くなります。さらに、パワー半導体として必須のノーマリ・オフ動作、その信号の閾値が5V以上で、これは意図しない通電（ショート）が防げる値です。ダイヤモンドではこれまでどこも達成されていなかった技術です。
表面をC-Si-O結合で覆うことで従来のC-H表面に比べて、高温や酸化に強い安定なデバイスとなったと考えて
います。C-Si-O表面は、SiやSiCの表面と同様で、製造工程でSiやSiCと同様の手法が使え、量産性にも適しています。今回の成果で、社会実装しやすいダイヤモンドパワー半導体が実現したと感じています。
■ 株式会社Power Diamond Systems について
Power Diamond Systems（PDS）は、早稲田大学 川原田 洋 教授（Chief Scientific Officer）の研究シーズを
基に設立した、ダイヤモンド半導体デバイスの研究開発を行うスタートアップです。ダイヤモンド半導体デバイスは、電気自動車や再エネなどの次世代パワーエレクトロ二クス分野において期待される次世代パワー半導体です。このダイヤモンド半導体デバイスにより超小型・高効率インバータモジュールを実現し、エネルギー社会における更なる省エネ化に貢献することを目指しています。
会社名：株式会社 Power Diamond Systems
所在地：東京都新宿区西早稲田1-22-3 早稲田大学アントレプレナーシップセンター
代表者：藤嶌 辰也
ホームページ：https://www.powerdiamondsys.com/
本件に関するお問い合わせ先
株式会社 Power Diamond Systems
TEL：03-6824-0134
Mail：info@powerdiamondsys.com
