【東芝デバイス＆ストレージ】300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟を竣工

２０２４−５−２３
東芝デバイス＆ストレージ株式会社



300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟を竣工


　当社は本日、グループ会社である加賀東芝エレクトロニクス株式会社（石川県能美市）にて、300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟、および新事務所棟の竣工式を行いました。今回竣工したのは新製造棟の第1期分です。装置の搬入を進め、2024年度下期より本格的な生産を開始予定です。第1期フル稼働時には、低耐圧MOSFET[注1]、IGBT[注2]を中心とするパワー半導体の生産能力[注3]を、本建設を決定した2021年度比で2.5倍に増強する計画です。また、第2期については、市場の動向を見ながら建設と稼働開始の時期を決定していきます。

　新製造棟は、地震の揺れを吸収する免震構造の採用や電源の2重化などを通じてBCP（事業継続計画）を強化するとともに、再生可能エネルギー由来の電力活用や、屋上への太陽光発電設備（オンサイトPPAモデル）設置などにより、使用する電力を100%再生可能エネルギー由来でまかないます。また、人工知能（AI）活用などを通じて、製品品質および生産効率をより向上させます。設備投資の一部には、経済産業省から「半導体の安定供給確保のための取組に関する計画（供給確保計画）」に基づく助成金の交付を受ける予定です。

　電力を供給、制御する役目を果たすパワー半導体は、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。当社は、加賀東芝エレクトロニクス既存棟において、2022年度下期より300mmウエハーを用いたパワー半導体を生産しています。新製造棟の稼働開始により、パワー半導体の生産能力をさらに拡大し、カーボンニュートラルの実現に貢献していきます。

[注1]MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）：金属酸化膜半導体電界効果トランジスター
[注2]IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）：絶縁ゲートバイポーラートランジスター
[注3]200mmおよび300mmライン生産能力（200mmウエハー換算）


[画像1]https://digitalpr.jp/simg/1398/88690/350_233_20240523164430664ef3de2a21d.JPG


　　右側が新製造棟、手前は新事務所棟

加賀東芝エレクトロニクス株式会社の概要
所在地：石川県能美市岩内町1番地1
設立：1984年12月
代表者：取締役社長 相田 聡
従業員数：1,150名 （2024年3月末時点）
生産品目：ディスクリート半導体（パワー半導体、小信号デバイス、オプトデバイス）
ホームページ： https://www.toshiba-kaga.co.jp/

以上

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