ロームの「Power Eco Family」が切り拓く次世代パワーソリューション
2025年3月10日(月)11時17分 PR TIMES
ホワイトペーパー :
https://www.rohm.co.jp/search/application-notes?DocType=White%20Paper&SearchBox=Power%20Eco%20Family
近年、電気自動車やエナジーハーベスティングなど、さまざまな分野で電力の活用が加速しており、各アプリケーションに搭載されるパワーシステムには、高効率化・小型化・軽量化などの性能改善が求められています。このため、パワー半導体に対しても、より高性能かつ過酷な環境への耐性、具体的には、高速スイッチング性能や低損失、高い放熱性能などが不可欠となっています。同時に、パワー半導体の活用範囲もますます増加しており、需要が高まっています。
ロームは、世界で初めて(※)SiC(シリコンカーバイド:炭化ケイ素)のMOSFETを量産に成功した実績など、パワー半導体分野においてノウハウと技術を長年にわたり蓄積してきました。また、市場での需要拡大が見込まれ、SiCと同様に次世代半導体として注目されているGaN(ガリウムナイトライド:窒化ガリウム)を量産するなど、新たな製品分野も開拓しています。
[画像1: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/62988/61/62988-61-e5ad8796f87551e9570a5495343442b2-3900x2094.png?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]図1:電力容量×動作周波数の領域ごとに「Power Eco Family」各製品を配置した図
図では、縦軸に電力容量、横軸に動作周波数を示し、ロームの各パワー半導体が対応する領域を表現しています。半導体材料として、長く使われているSi(シリコン)のパワー半導体としては、「EcoMOS(TM)」と「EcoIGBT(TM)」があります。また、超高耐圧かつ高速スイッチングが求められる領域はSiCデバイスの「EcoSiC(TM)」、超高速スイッチングが求められる領域はGaNデバイスの「EcoGaN(TM)」といった次世代半導体に対応し、幅広いニーズに応えます。
ロームは、これら4つの製品群を「Power Eco Family」とし、アプリケーションの性能向上に寄与することで、エコシステムの構築に貢献していきます。
- EcoSiC(TM)製品(https://www.rohm.co.jp/products/sic-power-devices)
- EcoGaN(TM)製品(https://www.rohm.co.jp/products/gan-power-devices)
- EcoIGBT(TM)製品(https://www.rohm.co.jp/products/igbt)
- EcoMOS(TM)製品(https://www.rohm.co.jp/products/mosfets)
[画像2: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/62988/61/62988-61-2a0217924cc2a8690e54d7951190639b-3900x2094.png?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]図2:「Power Eco Family」の拡大によりエコシステムを構築
※2025年3月現在ローム調べ
「EcoSiC(TM)」、「EcoGaN(TM)」、「EcoIGBT(TM)」、「EcoMOS(TM)」はローム株式会社の商標または登録商標です。