TI、人工衛星の小型化と効率化を可能とする宇宙グレード200V GaN FETゲートドライバを発表
2025年3月3日(月)6時45分 マイナビニュース
Texas Instruments(TI)は、放射線耐性に優れたハーフブリッジGaN FETゲートドライバの新製品ファミリを発表した。
同製品ファミリとしては宇宙グレードに対応した22V品、60V品、200V品の3シリーズに分けられ、それぞれにプラスチックパッケージでQML(Qualified Manufacturers List:認定取得済みメーカーリスト)Class P、放射線耐性を備えた宇宙用強化プラスチック(SEP)製品、そしてセラミックパッケージでQML Class Vの認定をそれぞれ取得した耐放射線特性製品が用意され、合計9製品が提供される。
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